[发明专利]一种具有循环类量子阱结构的铜锌锡硫基薄膜前驱体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有循环类量子阱结构的铜锌锡硫基薄膜前驱体及其制备方法，该制备方法包括：利用天平对生长前后的衬底质量进行精确称量，并通过摩尔质量换算得到相应前驱体生长源物质的量，以获取生长源的生长速率、成膜厚度和生长时间之间的关系，然后通过控制生长时间来控制各前驱体生长源元素的配比，进而根据生长时间的划分，对铜锌锡硫基薄膜的前驱体进行类量子阱式生长；还包括采用具有高本底真空、生长速率稳定以及可重复性高特点的磁控溅射、热蒸发或电子束蒸发的生长方法。基于上述制备方法，本发明可对薄膜及其前驱体的组成成分及元素配比进行精确调控，解决了现有铜锌锡硫基薄膜的整体元素配比失衡的技术问题。