[发明专利]一种氧空位及Mn掺杂双缺陷二氧化铈纳米片及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202011643663.7 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112853385A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 牟天成;牟红宇 | 申请（专利权）人： | 中国人民大学 |
| 主分类号： | C25B3/23 | 分类号： | C25B3/23;C25B11/077;C25B3/07;C25B3/05;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100872 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种氧空位及Mn掺杂双缺陷二氧化铈纳米片及其制备方法与应用。本发明采用溶剂热‑焙烧热处理的方法，制备氧空位及Mn掺杂双缺陷二氧化铈纳米片电极材料。在焙烧热处理过程中CeOHCO |
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| 搜索关键词： | 一种 空位 mn 掺杂 缺陷 氧化 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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