[发明专利]一种片内全集成电容失配校准电路有效

专利信息
申请号: 202011638791.2 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112737584B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 刘海涛;吴俊杰;徐宏林;张理振 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十四研究所
主分类号: H03M1/10 分类号: H03M1/10
代理公司: 南京知识律师事务所 32207 代理人: 刘丰;高娇阳
地址: 210039 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种片内全集成电容失配校准电路,设置在MDAC中,包括电容阵列、运算放大器和开关阵列,所述运算放大器的正端和负端之间跨接电容C0,运算放大器的输入正负端接有相同的电容阵列,且每个电容均由一个独立的开关连接至相应的输入直流点Vp/Vn/Vcm,运算放大器输入正端的电容阵列包括容值为2N×C0的电容、容值为C0/2m的校准电容和C1,满足:C1+C0/2m=C0/2,其中N和m均为整数,N是当前量化级位数。本发明基于已有的第一级运算放大器和开关电容阵列,通过增加适当的校准电容并配合以数字使能控制,能够实现片内全集成的电容失配校准,提升模数转换器整体精度。
搜索关键词: 一种 片内全 集成 电容 失配 校准 电路
【主权项】:
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