[发明专利]一种多孔钴/镍掺杂碳中空结构材料、其制备方法及应用在审
| 申请号： | 202011633912.4 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112853371A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陶孙林;刘颖雅;王安杰;王瑶;孙志超;遇治权 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B11/091 |
| 代理公司： | 大连格智知识产权代理有限公司 21238 | 代理人： | 刘晓琴 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔钴/镍掺杂碳中空结构材料、其制备方法及应用，首先以羧化聚苯乙烯纳米球为模板，利用钴/镍离子与羧酸的配位作用，将过渡金属离子锚定在羧化聚苯乙烯纳米球表面，再通过引入新的配体，在羧化聚苯乙烯纳米球表面实现金属有机骨架材料的定向组装制得PS@MOF复合微球；随后将制得的PS@MOF复合微球在氮气气氛下进行退火处理，得到钴/镍掺杂碳中空结构材料。本发明制备工艺简单，易于批量制备，且可通过调节羧化聚苯乙烯纳米球尺寸得到不同孔径的碳中空结构材料；所制得的材料具有多孔中空结构，能够作为电催化析氢反应材料，具备较高的活性以及优异的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 掺杂 中空 结构 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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