[发明专利]一种碳毡负载铈掺杂α-FeOOH纳米片阵列电极及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202011633186.6 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112811525B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 毛舜;刘莹;杨玉霖 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C02F1/461 | 分类号： | C02F1/461;C02F1/72;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种碳毡负载铈掺杂α‑FeOOH纳米片阵列电极及其制备方法与在电芬顿水处理中的应用，制备方法包括首先配制含有铁源与铈源的水溶液；之后加入甘油与导电碳毡，并进行水热反应，再经过后处理即得到纳米片阵列电极；该纳米片阵列电极可作为阴极材料，用于电芬顿反应去除有机污染物。与现有技术相比，本发明制备的铈掺杂α‑FeOOH纳米片阵列负载碳毡电极合成方法简单、无金属溶出、重复利用性能稳定、高矿化率，在工业废水处理中具有广阔的前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负载 掺杂 feooh 纳米 阵列 电极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学，未经同济大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011633186.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
