[发明专利]一种掺杂碳化硅单晶及其制备方法在审
| 申请号： | 202011621835.0 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112853491A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 魏汝省;李斌;毛开礼;马康夫;靳霄曦;樊晓 | 申请（专利权）人： | 山西烁科晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王术娜 |
| 地址： | 030006 山西省太*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种掺杂碳化硅单晶及其制备方法，属于晶体生长技术领域，本发明提供的制备方法，将碳化硅结晶物料在籽晶、混合气氛下进行结晶生长；所述混合气氛包括载气和掺杂气体；所述混合气氛的流量为10～500sccm；所述载气和掺杂气体的体积比为(1～50)：1。在本发明中，碳化硅结晶物料在结晶生长的过程中会分解为气相组分，这些气相组分在温度梯度及浓度梯度的驱动下传输至籽晶表面，在籽晶表面冷却沉积；在此过程中，载气和掺杂气体的通入，能够使掺杂气体同生长组分一起生长，进而使掺杂元素进入晶体的晶格中，实现均匀可控掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 碳化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西烁科晶体有限公司，未经山西烁科晶体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011621835.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
