[发明专利]一种纳米零价铁耦合磁场同步强化厌氧氨氧化菌培养和增强稳定性的方法在审

专利信息
申请号: 202011611200.2 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112678950A 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 倪寿清;郭蓓蓓;邹春榛;王志彬;魏海伟 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: C02F3/28 分类号: C02F3/28;C02F101/16
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 代理人: 张宏松
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种纳米零价铁耦合磁场同步强化厌氧氨氧化菌培养和增强稳定性的方法,本发明利用nZVI耦合磁场来强化厌氧氨氧化菌的培养,施加的磁场强度能使零价铁表面去钝化,在磁场下将纳米零价铁转化为铁离子并作为微量元素为微生物利用,有效促进厌氧氨氧化启动,同时配合磁场可以影响氨氧化菌的氨单加氧酶和羟胺氧化酶中蛋白质的活性位点,提高酶的活性,进一步提高了氨氧化菌富集速率,大大缩短了反应器的启动时间,增强了厌氧氨氧化反应器的稳定性。本发明所述的方法工艺简单,反应条件温和,正常厌氧氨氧化反应条件下即可进行;对环境安全无害,并且便于工程应用。
搜索关键词: 一种 纳米 零价铁 耦合 磁场 同步 强化 厌氧氨 氧化 培养 增强 稳定性 方法
【主权项】:
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