[发明专利]一种相变存储器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 202011608134.3 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112635667B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 钟旻;李铭;冯高明 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种相变存储器单元及其制备方法，其从下到上依次包括位于衬底上的底电极、相变单元、加热电极和顶电极；其中，相变单元为纵向连接设置于底电极上的柱体，其由内而外依次设置有柱形相变材料层、环形散热层和环形选择器件层；顶电极与加热电极和相变材料层依次连接，环形选择器件层连接底电极。因此，本发明通过采用散热层包覆相变电阻层使电流密度和热量分布更加集中，从而固定相变有效操作区域，使相变电阻层有效区域体积减小，降低了器件功耗；同时，散热层与相变电阻层非有效操作区域的接触面积增大，减小非有效操作区域的热量聚集，降低非有效区域转化为有效区域的可能，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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