[发明专利]一种异质结紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种异质结紫外探测器，包括：衬底、制备于衬底上的ZnO薄膜层、制备于ZnO薄膜层上的非晶Ga2O3薄膜层以及分别制备于非晶Ga2O3层和ZnO薄膜层上的接触电极；ZnO薄膜层与非晶Ga2O3薄膜层接触面形成ZnO/非晶Ga2O3异质结；所述ZnO薄膜层的厚度为50～200nm；所述非晶Ga2O3薄膜层的厚度为100～300nm。本发明制得的异质结紫外探测器，低温生长可以改善异质结界面缺陷所带来的性能不理想问题，具备良好的载流子调控特性、响应度和稳定性，并具有自供能特性，表现出出色的紫外探测性能。整个薄膜型异质结器件制造工艺简单，所用材料容易获得，具有广阔的发展前景。