[发明专利]一种隧道磁电阻及其制造方法在审
| 申请号： | 202011596848.7 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112768603A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 何路光;王连伟;涂恩平;韩荷福 | 申请（专利权）人： | 蚌埠希磁科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 233000 安徽省蚌埠市经开区财院路10号，财院*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种隧道磁电阻及其制造方法，隧道磁电阻包括：第一钉扎层；与所述第一钉扎层相对设置的自由层；位于所述第一钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层；位于所述自由层背向所述隧穿势垒层一侧的第二钉扎层。第二钉扎层可以为自由层提供较弱的交换偏置场，在外界环境温度或者外磁场移除之后，交换偏置场可以钉扎自由层在初始状态下的方向上，从而避免了隧道磁电阻涡旋磁化初始状态不稳定、容易受到外界环境的变化从而导致磁化曲线的漂移的问题，具有稳定自由层及增加自由层温度稳定性的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隧道 磁电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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