[发明专利]一种减少溅射污染的阳极层离子源在审
| 申请号： | 202011593701.2 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112575306A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 郭杏元;曹永盛;马金鹏 | 申请（专利权）人： | 光芯薄膜（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明通过有限元数值计算，提供一种磁镜比较高的阳极层离子源。其主要结构包含：阳极环、阴极内环、阴极外环、永磁体、磁轭、供气系统、所述阳极环的冷却液进/出管道、所述阴极内环冷却液进/出管道、所述磁轭冷却液进/出管道。其特征在于：所述阳极层离子源放电腔磁场的磁镜比大于2；所述阳极层离子源放电腔磁场的磁镜中心对称；所述阳极层离子源共采用3路冷却液通道进行冷却，分别对所述阳极环、所述阴极内环以及所述磁轭及永磁体进行冷却。此种设计可以有效降低阳极层离子源的溅射污染，延长阳极层离子源维护时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 溅射 污染 阳极 离子源 | ||
【主权项】：
暂无信息
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