[发明专利]改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法有效
| 申请号： | 202011592563.6 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112802797B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 黄然;傅士栋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及改善晶圆面内关键尺寸均匀性的方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过在晶圆半径d1至边缘区域进行光刻BSE补偿工艺及接触孔刻蚀工艺的工艺整合方案，而晶圆半径0mm至d1区域的工艺不变，极大的提升了晶边工艺窗口；并提升了晶圆面内接触孔CD分布均匀性，特别是晶边Far Edge的部分，CD range从4nm改善至1.5nm以内，产品良率安全窗口扩大约50％，且边缘良率提升约1.0％。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 晶圆面内 关键 尺寸 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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