[发明专利]一种反式结构钙钛矿太阳能电池电子传输层的制备方法有效

专利信息
申请号: 202011580077.2 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN112687806B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 兰章;吴季怀 申请(专利权)人: 华侨大学
主分类号: H10K30/10 分类号: H10K30/10;H10K30/85;H10K71/40;H10K85/50;H10K71/12
代理公司: 泉州市文华专利代理有限公司 35205 代理人: 孙振玲
地址: 362000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种反式结构钙钛矿太阳能电池电子传输层,包括尺寸为0.5~5μm2的金红石相二氧化钛纳米片,所述金红石相二氧化钛纳米片涂覆在钙钛矿光吸收层上,从而在所述钙钛矿光吸收层上形成厚度为15~25nm的所述反式结构钙钛矿太阳能电池电子传输层。本发明还公开了一种反式结构钙钛矿太阳能电池电子传输层的制备方法,以Ti3AlC2MXene粉体为原料,经过刻蚀、剥离和氧化制备出金红石相二氧化钛纳米片,在较低温度下即能构建超薄的电子传输层。本发明一种反式结构钙钛矿太阳能电池电子传输层,具有优异的电子提取和传输性能,同时可以大幅降低甚至消除电子传输层材料对钙钛矿光吸收层在紫外光照射下的分解作用,从而有望制备出稳定高效的反式结构钙钛矿太阳能电池。
搜索关键词: 一种 反式 结构 钙钛矿 太阳能电池 电子 传输 制备 方法
【主权项】:
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