[发明专利]半导体存储器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体存储器及其制作方法。该半导体存储器包括衬底以及位于衬底上的多个电容器和支撑层，各电容器通过支撑层与至少一个相邻的电容器连接，支撑层包括第一支撑层，各电容器包括下电极、第一高K介质层和上电极，第一高K介质层位于下电极与上电极之间，第一支撑层与第一高K介质层直接接触，且第一支撑层具有与第一高K介质层接触的第一端面，第一高K介质层完全覆盖第一端面。由于上述第一高K介质层形成下电极前，从而在将支撑层打开后可以直接形成上电极，从而通过将第一高K介质层移到开口之外，与现有技术相比扩大了上述开口的尺寸，进而降低了在开口中沉积和刻蚀的工艺难度，有利于电容器电容的进一步增大。