[发明专利]基于两步法制备大面积钙钛矿薄膜的方法及其应用在审
| 申请号: | 202011559540.5 | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN112687804A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
| 发明(设计)人: | 朱桂;田清勇;范利生;赵亚楠;陈伟中;安扬;范斌 | 申请(专利权)人: | 昆山协鑫光电材料有限公司;苏州协鑫纳米科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 赵世发 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种基于两步法制备大面积钙钛矿薄膜的方法及其应用。所述基于两步法制备大面积钙钛矿薄膜的方法包括:先分别制作包含钙钛矿无机组分的无机组分薄膜、包含钙钛矿有机组分的有机组分薄膜,再使所述无机组分薄膜与有机组分薄膜结合而形成钙钛矿薄膜。本发明实施例提供的一种基于两步法制备钙钛矿薄膜的方法,不需要依靠大型抽气设备就能制备得到大面积、均匀致密的钙钛矿薄膜,且本发明提供的方法工艺稳定、可重现性高,有效降低了工业上钙钛矿薄膜的制备成本。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 步法 制备 大面积 钙钛矿 薄膜 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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