[发明专利]纳米图形衬底上生长的AlInGaN紫外发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 202011558591.6 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687772B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;B82Y40/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlInGaN紫外发光二极管的制备方法。首先在蓝宝石衬底上制备纳米图形衬底，衬底边缘有刻蚀圈，在以上图形衬底上低温生长一层AlN薄层，随后提高生长温度，采用低V/III、高温、低压、快速生长模式生长非掺杂的AlInGaN层，快速覆盖纳米图形。然后依次生长N型AlInGaN接触层，AlInGaN量子阱，AlInGaN电子阻挡层，最后生长P型AlInGaN接触层。因为AlN薄膜和纳米图形衬底之间形成生长的纳孔洞空洞，这些空洞会形成很好的紫外光反射粗糙面，形成高效紫外出光。纳米图形衬底上侧向外延生长模式，能够有效降低AlN薄膜的位错密度，提升AlInGaN紫外发光二极管的内量子效率。本发明能够从内量子效率和提取效率方面极大地改善AlInGaN紫外发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 图形 衬底 生长 alingan 紫外 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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