[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202011549549.8 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113193045A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 金相秀;朴俊范;梁正吉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王凯霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：有源图案，位于衬底上，并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上纵长地延伸；栅极结构，位于所述有源图案上，所述栅极结构在与所述衬底的所述上表面平行且与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；沟道，沿着与所述衬底的所述上表面垂直的第三方向彼此间隔开，每个所述沟道沿着所述第一方向延伸穿过所述栅极结构；源极/漏极层，位于所述有源图案的在所述第一方向上与所述栅极结构相邻的部分上，所述源极/漏极层接触所述沟道；内部间隔物，位于所述栅极结构与所述源极/漏极层之间，所述内部间隔物接触所述源极/漏极层；以及沟道连接部分，位于每个所述内部间隔物与所述栅极结构之间，所述沟道连接部分将所述沟道彼此连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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