[发明专利]二硫化钼纳米片及其制备方法、应用以及电化学还原降解卤代抗生素的方法在审
| 申请号： | 202011548657.3 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112675879A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 江鸿;杨靖 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | B01J27/051 | 分类号： | B01J27/051;B01J35/00;B01J35/02;B82Y40/00;C01G39/06;C02F1/467;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
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| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二硫化钼纳米片及其制备方法、应用以及电化学还原降解卤代抗生素的方法。本发明合成薄层二硫化钼纳米片作为电化学还原中的阴极催化剂，能够高效去除水环境中难降解的卤代抗生素，显著降解抗生素在水环境中的累积，为有效阻断耐药基因传递提供了经济高效的适用方法，具有广泛的应用前景。实验结果表明，以本发明合成的薄层二硫化钼纳米片作为电化学还原中的阴极材料，在4个小时内可有效降解污水中的卤代抗生素。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 纳米 及其 制备 方法 应用 以及 电化学 还原 降解 抗生素 | ||
【主权项】：
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