[发明专利]一种电感耦合等离子处理装置及其刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011544771.9 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114678270A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 黄秋平;许颂临 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/305;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于电感耦合等离子体处理装置的刻蚀方法，所述电感耦合等离子处理装置包括一反应腔，反应腔顶部包括绝缘窗和位于绝缘窗上方的电感线圈装置，其中绝缘窗中心包括一进气喷头，反应腔内还包括一基座，待处理基片位于所述基座上，所述进气喷头用于将处理气体输入反应腔中，其特征在于：所述经过进气喷头输入反应腔的处理气体包括刻蚀气体和惰性气体，其中刻蚀气体用于与待处理基片上的材料反应进行刻蚀，所述惰性气体的流量大于刻蚀气体流量的2/3。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电感 耦合 等离子 处理 装置 及其 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
