[发明专利]GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器及其制作方法在审
| 申请号： | 202011541977.6 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112670366A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 万丰硕;薛春来;徐国印;刘智;郑军;左玉华;成步文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 鄢功军 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器及其制作方法，该GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器包括：衬底；GeSn层，形成于所述底的一表面；钙钛矿层，形成于所述GeSn上；下电极，形成于所述衬底的另一表面；上电极，形成于所述钙钛矿层上。本发明还提供了该GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器的制作方法。本发明所提供的GeSn/钙钛矿异质结宽光谱探测器的吸收波长可覆盖从紫外光到中红外范围，成本低廉、可大批量生产，在遥感、光通信、成像、气体检测、夜视、生物医学等领域有着重要应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | gesn 钙钛矿异质结宽 光谱 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011541977.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
