[发明专利]一种高活性缺陷型Bi2 有效
| 申请号： | 202011538487.0 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112777637B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 孙青;柯美林;张俭;盛嘉伟 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C01G39/00 | 分类号： | C01G39/00;B82Y40/00;B01J23/31;B01J35/00;B01J35/10;C02F1/30;C02F101/30;C02F103/30;C02F103/34 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 冷红梅 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种高活性缺陷型钼酸铋纳米带及其制备与应用。本发明方法通过油胺水热法和随后的多次热处理去除晶面剩余的油胺络合物，可以调控制备出具有表面缺陷的Bi |
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| 搜索关键词： | 一种 活性 缺陷 bi base sub | ||
【主权项】：
暂无信息
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