[发明专利]三维存储器的制造方法及三维存储器

摘要

本发明提供一种三维存储器的制造方法及三维存储器，在本发明所提供的三维存储器的制造方法中，在衬底的堆栈平面内，多个伪沟道孔与多个接触孔分别呈阵列分布，且一个接触孔的周围设有多个伪沟道孔，伪沟道孔与接触孔在第一方向上相互错开，且伪沟道孔与接触孔在第二方向上相互错开，即使伪沟道孔和后续形成的接触孔之间存在第一方向或第二方向的套刻偏移，也不会存在重叠合并的风险，不影响三维存储器的结构布局设计，增强了三维存储器的结构稳定性和电学性能；伪沟道孔统一设计为方向一致的长条状，降低了其刻蚀工艺难度和后续形成的栅线分隔槽的刻蚀工艺难度。