[发明专利]一种双向低压静电浪涌全芯片保护集成电路

摘要

本发明涉及集成电路的静电放电及浪涌防护领域,公开了一种双向低压静电浪涌全芯片保护集成电路，包括P型衬底，P型衬底的上表面设有N型隔离区，N型隔离区的上表面从左往右依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱的左侧面与第一P阱的右侧面连接，第一P阱的右侧面与第二N阱的左侧面连接，通过在第一N阱、第一P阱和第二N阱上对称设置N+注入区或者P+注入区，形成对称设置的二极管和三极管，在实际使用时，通过这些二极管和三极管可以使本发明的电流泄放路径均呈双向全对称特性，提高了本发明的鲁棒性。