[发明专利]具有高纯工作表面的SiC陶瓷器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202011528207.8 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112521154A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;刘盟;黄政仁;刘学建;姚秀敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/626;C04B35/632 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 郑优丽;牛彦存 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开具有高纯工作表面的SiC陶瓷器件及其制备方法和应用。所述SiC陶瓷器件包括低B、C残余的SiC陶瓷基体和位于SiC陶瓷基体表面的高纯CVD‑SiC薄膜；所述SiC陶瓷基体的致密度高于98%；所述SiC陶瓷基体的纯度高于99.5wt%；所述CVD‑SiC膜的纯度高于99.9wt%。本发明通过在低B、C残余SiC陶瓷表面镀制一层高纯CVD SiC薄膜，将有效减少B元素扩散进晶圆中，减少对晶圆的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高纯 工作 表面 sic 陶瓷 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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