[发明专利]MEMS麦克风的制备方法及MEMS器件的牺牲层的释放方法有效
| 申请号： | 202011528010.4 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112601168B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 金文超;闻永祥;孙福河;杨浩;陈鑫;尤业锐 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS麦克风的制备方法及MEMS器件的牺牲层的释放方法，在衬底上形成氧化层及结构层，在结构层的表面以及结构层内的释放孔的内壁上形成金属氧化物层，然后利用气相腐蚀工艺经由释放孔释放氧化层。在释放氧化层时，金属氧化物层能够提高结构层在气相腐蚀工艺中的耐熏蒸腐蚀能力，但对氧化层在气相腐蚀工艺中的耐熏蒸腐蚀能力的影响不大，相当于提高了结构层和氧化层在气相腐蚀工艺中的刻蚀选择比，从而在保证氧化层完全释放的情况下，避免结构层的表面被损伤，进而提高了MEMS器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 麦克风 制备 方法 器件 牺牲 释放 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集昕微电子有限公司，未经杭州士兰集昕微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011528010.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：去甲肾上腺素的药物新用途
- 下一篇：一种低污染制备溶剂橙60的绿色方法
