[发明专利]一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011527799.1 申请日: 2020-12-22
公开(公告)号: CN112635593B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 曹宇;刘超颖;周静;祝新运;蒋家豪;凌同;曲鹏 申请(专利权)人: 东北电力大学
主分类号: H01L31/0336 分类号: H01L31/0336;H01L31/0392;H01L31/0725;H01L31/18
代理公司: 吉林市达利专利事务所 22102 代理人: 陈传林
地址: 132012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法,包括:前电极、顶电池、背电极,其特点是,前电极为透明导电玻璃层,顶电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第一电子传输层、Sb2S3薄膜作为第一吸光层、CuSbS2薄膜作为第一空穴传输层组成;还包括在顶电池与背电极之间依次层叠设置中间电池、底电池,中间电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第二电子传输层、Sb2(S,Se)3薄膜作为第二吸光层、CuSbS2薄膜作为第二空穴传输层组成;底电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第三电子传输层、Sb2Se3薄膜作为第三吸光层、CuSbS2薄膜作为第三空穴传输层;背电极为金属电极层。其结构简单,成本低且性能稳定。
搜索关键词: 一种 全锑基 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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