[发明专利]一种实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法在审
| 申请号： | 202011525028.9 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112760595A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈志辉;魏骏 | 申请（专利权）人： | 上海复存信息科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 俞晨波 |
| 地址： | 200000 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种实现铌酸锂晶体表面导电的制备方法，具体方法包括以下步骤，S1化学清洗铌酸锂晶体基片表面；S2，在铌酸锂晶体基片表面生长一层金属薄膜层；S3，将铌酸锂晶体基片放入热处理炉中，在氩气和氢气混合气体气氛中恒温退火处理，退火处理完成后，使铌酸锂晶体基片降温至室温25℃；S4，将铌酸锂晶体基片置于强酸溶液浸泡，然后超纯水冲洗去除表面剩余金属薄膜层，最后甩干铌酸锂晶体基片。本方法可与现有集成电路生产工艺流程及工艺设备结合，适合规模化生产，且各步骤流程化，操作简单方便，安全可靠，并可通过精确调节工艺设备参数，可以精确得到不同表面导电性的铌酸锂晶体表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 铌酸锂 晶体 表面 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海复存信息科技有限公司，未经上海复存信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011525028.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
