[发明专利]基于纳米片堆叠场效应晶体管的生物传感器及制备方法在审
| 申请号： | 202011516842.4 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112736142A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘飞辰 | 申请（专利权）人： | 西安国微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;G01N27/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区丈八*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米片堆叠场效应晶体管的生物传感器及制备方法；该生物传感器包括衬底、源区、纳米片堆叠区、隔离区以及漏区；纳米片堆叠区靠近隔离区的一侧被环形的栅金属层包围形成沟道区，另一侧与源区相接触形成源接触区；纳米片堆叠区包括平行设置的多个纳米片导电沟道层；最上层的纳米片导电沟道层与栅金属层之间、每两个上下相近的纳米片导电沟道层之间，以及最下层的纳米片导电沟道层与栅金属层之间均形成腔体；每个腔体靠近隔离区一端的空间内填充有栅介质，另一端未填充栅介质的空间形成生物分子填充腔；生物分子填充腔的入口位于源接触区；本发明提供了一种高敏感度、能够克服短沟效应、工艺制造难度低且性能稳定的生物传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 堆叠 场效应 晶体管 生物 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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