[发明专利]在强磁场条件下测量导电流体中速度和涡量的装置及方法有效

专利信息
申请号: 202011515059.6 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112665821B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 阳倦成;张祥飞;吕泽;张年梅;倪明玖 申请(专利权)人: 西安交通大学;中国科学院大学
主分类号: G01M10/00 分类号: G01M10/00;G01P5/08
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 弋才富
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在强磁场条件下测量导电流体中速度和涡量的装置及方法,装置包括通道内可移动的浸入式的探针,控制探针运动的位移装置,通过屏蔽线连接探针电势信号的多通道高精度同步电压采集系统;基于电势探针原理,将探针采集到的电势信号,与流速建立关系,直接得到流场的局部速度分布,通过电势差和磁场强度测得涡量;本发明通过信号采集和数据处理,能够在外部强磁场条件下,高精度测量液态金属流场内部局部速度和涡量分布,解决强磁场下液态金属局部流场特征的高精度测量的难题。
搜索关键词: 磁场 条件下 测量 导电 流体 速度 装置 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学;中国科学院大学,未经西安交通大学;中国科学院大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011515059.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top