[发明专利]一种减少碳化硅晶体包裹物的方法有效
| 申请号： | 202011511628.X | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112746316B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 王增泽;鲍慧强;张岩;赵子强;李龙远;葛明明 | 申请（专利权）人： | 国宏中宇科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100089 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种减少碳化硅晶体包裹物的坩埚结构，包括凸形坩埚(1)、晶体生长原料(2)、籽晶托(3)；凸形坩埚(1)剖视形如“凸”字形，具有圆柱状的底部(11)和圆柱状的上部(12)，原片形顶盖(13)，晶体生长原料(2)基本充满底部(11)；籽晶托(3)的涂覆涂层(31)；涂层材料是钛、钽、钨或其碳化物。还公开一种减少碳化硅晶体中碳包裹物的方法，针对该坩埚结构以实施，包括坯料选用、成型步骤、烧成阶段三个步骤。以及一种碳化硅晶体生长方法，其利用该坩埚结构以实施，包括涂覆和预烧、填装碳化硅生长原料步骤、实际生长步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 碳化硅 晶体 包裹 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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