[发明专利]制备(SiCNW有效

专利信息
申请号: 202011507366.X 申请日: 2020-12-18
公开(公告)号: CN112624801B 公开(公告)日: 2022-07-26
发明(设计)人: 李贺军;田新发;史小红;林红娇;杨莉 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B41/87 分类号: C04B41/87;C04B35/84
代理公司: 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种制备(SiCNW)/(ZrC基体‑涂层一体化)改性C/C复合材料的方法,通过预先制备SiC纳米线骨架,使得通过PIP法制备ZrC陶瓷掺杂基体的同时可以在基体表面形成ZrC(SiC)陶瓷涂层。该方法能够使ZrC(SiC)陶瓷涂层与掺杂基体一体化成型,既能有效阻隔氧气气氛和高速粒子对基体的侵蚀,又能降低基体的氧化活性,同时缓解基体与涂层之间的热膨胀系数不匹配问题,从内至外整体上提升C/C复合材料长时间的抗烧蚀能力。本发明操作简单、制备温度较低、对基体损伤小、成本低廉,可为C/C复合材料在高温烧蚀环境中的应用提供一定的理论与实验助力,具有良好的经济及社会效益。
搜索关键词: 制备 sic base sub nw
【主权项】:
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