[发明专利]一种平坦化金属叠层的方法及器件在审
| 申请号： | 202011506746.1 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112614810A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李亦衡;王强;姚骏;吴敏;秦佳明;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/027;H01L23/528 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王桦 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种平坦化金属叠层的方法，包括在金属底层上沉积电介质层，使用负性光刻胶：在电介质层上形成光刻胶层，通过光刻在光刻胶层上形成图案，并蚀刻掉该部分的电介质，并使光刻胶层的开口角度θ≥90°，沉积金属层，剥离光刻胶层、位于光刻胶层上的金属层，沉积金属覆盖层，使金属覆盖层的上表面为平面。一种器件，其包括由平坦化金属叠层的方法形成的结构。本发明在不使用CMP、钨塞（化学机械研磨）、铜（双）镶嵌工艺的情况下，大大改善金属层的平坦度，极大的简化了工艺流程，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平坦 金属 方法 器件 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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