[发明专利]具有应变双纳米带沟道结构的全环绕栅集成电路结构在审
| 申请号： | 202011505259.3 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113851537A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | A·阿格拉瓦尔;B·米勒;J·T·卡瓦列罗斯;J·托里斯;K·俊;S·舒克赛;W·拉赫马迪;K·甘古利;R·基奇;M·V·梅斯;A·S·默西 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了具有应变双纳米线/纳米带沟道结构的全环绕栅集成电路结构，以及制造具有应变双纳米线/纳米带沟道结构的全环绕栅集成电路结构的方法。例如，一种集成电路结构，包括在衬底上方的第一垂直布置的纳米线。所述第一垂直布置的纳米线中的各个纳米线被双轴拉伸应变。所述集成电路结构还包括在所述衬底上方的第二垂直布置的纳米线。所述第二垂直布置的纳米线中的各个纳米线被双轴压缩应变。所述第二垂直布置的纳米线中的所述各个纳米线与所述第一垂直布置的纳米线中的所述各个纳米线横向错开。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应变 纳米 沟道 结构 环绕 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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