[发明专利]一种新型大模场低弯曲损耗光纤在审
| 申请号： | 202011498207.8 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112462467A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 杨伟;毛久兵;杨剑;杨唐绍;许梦婷;秦宗良;张颖;钟付先 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十研究所 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 徐静 |
| 地址： | 610000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型大模场低弯曲损耗光纤，包括纤芯层、包层和基底，包层置于纤芯层的外部，纤芯层和包层设置于基底中；纤芯层包括多个低掺杂的微结构氟棒；包层由内到外依次为第一空气孔层、氟棒层和第二空气孔层，第一空气孔层在第一侧设置有多个大直径空气孔；氟棒层在第一侧设置有多个低掺杂的大直径氟棒，在第二侧设置有多个低掺杂的小直径氟棒；第二空气孔层在第二侧设置有多个小直径空气孔；微结构氟棒、大直径氟棒和小直径氟棒的折射率小于基底的折射率。本发明的光纤能够在小半径弯曲的情况下，将高阶模式扩散到包层中，增加高阶模式的损耗，滤掉纤芯中高阶模式，使得整个纤芯内只包含基模，可减小基模的弯曲损耗，提高光纤传输质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 大模场低 弯曲 损耗 光纤 | ||
【主权项】：
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