[发明专利]一种磁存储位元及其制作方法、磁存储器有效
| 申请号： | 202011496488.3 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114649469B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 韩谷昌;张恺烨;哀立波;杨晓蕾;刘波 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/80 | 分类号： | H10N50/80;H10N50/10;H10N50/85;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王晓坤 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了磁存储位元及其制作方法和磁存储器，磁存储位元包括固定层、参考层、隧道层、自由层，自由层包括多个层叠的结构单元，结构单元包括在远离隧道层方向上层叠的铁磁层和氧化物传导层，铁磁层包括在远离隧道层方向上依次层叠的第一磁性层、间隔层、第二磁性层。自由层包括多个结构单元，每个结构单元包括铁磁层和氧化物传导层，即自由层中有多个氧化物传导层与铁磁层的界面，多层界面的各向异性能使自由层维持垂直各向异性，可提升数据保存时间，提高自旋转移矩翻转速度，且降低去磁化场，提高自由层的磁各向异性场，且不影响磁存储位元隧道磁阻；铁磁层又包括第一磁性层、间隔层、第二磁性层，提升自由层的厚度，从而提升数据保存时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 位元 及其 制作方法 磁存储器 | ||
【主权项】：
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