[发明专利]多晶硅还原炉内壁镀膜装置及方法有效
| 申请号： | 202011485795.1 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112663005B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 张宝顺;宗冰;任长春;何乃栋;王体虎 | 申请（专利权）人： | 亚洲硅业（青海）股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 张巨箭 |
| 地址： | 810007 青海*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | 本发明公开了晶硅还原炉内壁镀膜装置及方法，装置包括：底座，具有至少两个气体置换孔；与钟罩形状相同且比钟罩小的中空靶材，靶材的材料与镀膜的目标材料相同，设置于钟罩内部；钟罩和靶材均位于底座上；钟罩具有夹套，夹套可注入具有热量的流动介质；加热装置，设置于靶材内部，用于对靶材进行加热；气体交换装置，用于对钟罩和靶材之间的空间进行气体置换；当靶材置于钟罩内部时，气体置换孔位于靶材和钟罩之间的空间；电源装置，具有与钟罩连接的正极、以及与靶材连接的负极。本发明可以在多晶硅还原炉内壁上制备组织均匀、结合力强的超薄金属薄膜，并且可以同时向钟罩内壁各个位置镀膜，能够避免分段镀膜导致的应力集中或残留问题。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 还原 内壁 镀膜 装置 方法 | ||
【主权项】：
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