[发明专利]用于平板显示器中的相移空白掩膜和光掩膜在审
| 申请号： | 202011485574.4 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN113009774A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 金东建;孔钟奎 | 申请（专利权）人： | 思而施技术株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/32 | 分类号： | G03F1/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 孙微;孙进华 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于平板显示器(FPD)中的相移空白掩膜，该相移空白掩膜包括位于透明衬底上的相移膜。相移膜包括控制曝光光线的透射率的透射衰减层和控制曝光光线的相移量的相移层。透射衰减层的组成比为50原子％至100原子％的铬(Cr)、0原子％至50原子％的氮(N)和0原子％至50原子％的碳(C)。相移层的组成比为10原子％至60原子％的铬(Cr)、0原子％至60原子％的氮(N)、0原子％至60原子％的氧(O)和0原子％至40原子％的碳(C)。对于365nm(i线)、405nm(h线)和436nm(g线)的复合波长的曝光光线，使各波长的透射率差异最小化至4％以下或2％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平板 显示器 中的 相移 空白 光掩膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
