[发明专利]一种降低晶圆上形成凝结物的方法在审
| 申请号： | 202011482432.2 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112635360A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 欧少敏;冯大贵;吴长明;曹春生;阚杰;石生宝;江扬帆 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低晶圆上形成凝结物的方法，至少包括：晶圆在真空腔中进行作业；将作业后的晶圆从真空腔中传送至负载锁定腔中进行真空大气转换；将晶圆从负载锁定腔传送至EFEM中，其中EFEM中设有温度湿度控制器；当晶圆进入EFEM中时，EFEM中的湿度为25％～30％；将晶圆从EFEM中传送至与EFEM对接的晶圆传送盒中，晶圆传送盒中的湿度与EFEM中的湿度相同。在EFEM中加装温湿度控制器，湿度从40％以上下降到25～30％左右并且精准控制，不受洁净室环境影响；晶圆出腔体后传送过程中及回到晶圆传送盒后整个环境保持恒温恒湿，由于晶圆传送盒内湿度降低，在晶圆传送盒内晶圆上不再产生凝结物，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 晶圆上 形成 凝结 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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