[发明专利]改善光刻工艺对位失败的方法有效
| 申请号： | 202011482431.8 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112612190B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 黄发彬;朱至渊;赵潞明;程宇;李玉华;吴长明;姚振海;金乐群 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善光刻工艺对位失败的方法，包含：第一步，制作测试光罩，将对位标记均放置到测试光罩上；第二步，依据不同工艺平台制作相应的结构片；利用测试光罩进行曝光并完成后续的膜层生长；第三步，将结构片涂敷光阻，进行不同对位标记的对位测试，完成对位信号数据的收集；第四步，数据分析，选出所有对比标记中信号质量相对较好的对位标记；第五步，将备选占空比的对位标记放置进量产产品光罩中，进一步确认产品对位状态的改善效果，选出最优的对位标记。本发明通过优化标准对位标记的尺寸，可以改善膜层台阶的覆盖能力。依据不同工艺平台的特点灵活设计不同尺寸的对位标记，有效改善对位信号，降低对位失败的情况的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 光刻 工艺 对位 失败 方法 | ||
【主权项】：
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