[发明专利]具有混晶区的半导体装置在审
| 申请号： | 202011482376.2 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN113013225A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 托尼·范胡克;马哈茂德·谢哈布·穆罕默德·阿尔沙蒂;约翰内斯·J·T·M·唐克尔;让·威廉·斯伦特伯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/161;H01L29/165;H01L29/868;H03K17/74 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 荷兰埃因霍温高科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的实施例可以包括：半导体衬底；第一半导体区，所述第一半导体区形成于所述半导体衬底内，包括具有第一极性的第一材料；以及第二半导体区，所述第二半导体区形成于所述半导体衬底内且耦合到所述第一半导体区，包括具有第二极性的所述第一材料。在实施例中，半导体装置还可以包括：耦合到所述第一半导体区的第一电极、耦合到所述第二半导体区的第二电极，以及形成于所述第一半导体区与所述第二半导体区之间的耗尽区。所述耗尽区可以包括混晶区，所述混晶区包括所述第一材料和第二材料的混晶合金，其中所述混晶区的带隙能量比所述第一材料的带隙能量低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 混晶区 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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