[发明专利]一种硅纳米锥阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 202011475382.5 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112573478A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张晓宏;张丙昌;卞辰瑜 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 王玉仙 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅纳米锥阵列及其制备方法，采用全湿法金属催化化学刻蚀的方法在硅晶圆表面刻蚀出均匀的硅纳米锥阵列，催化剂金属银颗粒直径在硅微纳结构刻蚀过程中逐渐减小，从而实现了大面积硅纳米锥阵列的可控制备。该方法具有低成本、高效率和适用于大规模生产的优势，所制得的硅纳米锥阵列在光电领域、防水、自清洁窗户以及场发射领域都具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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