[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法、装置及存储介质有效
| 申请号： | 202011472354.8 | 申请日： | 2020-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN112560381B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张永明;蔡文必;魏鸿基;林义书 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 张江陵 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法、装置及存储介质，涉及半导体器件仿真技术领域。该氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法包括：获取待仿真的输入电压；将输入电压输入氮化镓基高电子迁移率晶体管模型，获取模型运行后输出的输出电流，其中，模型包括：原始ASM模型，在原始ASM模型的栅极和源极之间设有电性关系，以及在原始ASM模型的栅极和漏极之间设有电性关系；且模型的公式包含栅极与源极之间的反向电流的计算公式、栅极与漏极之间的反向电流的计算公式。该氮化镓基高电子迁移率晶体管仿真方法能够解决先进高电子迁移率场效应管集约模型在描述器件栅极反向电流上的缺失，从而提高晶体管的仿真精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 仿真 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
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