[发明专利]发光二极管芯片在审
| 申请号： | 202011465318.9 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112582513A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李珍雄;金京完;朴泰俊;禹尙沅 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种发光二极管芯片，包括：基板；发光构造体，配置于基板上，包括第一导电型半导体层及配置到第一导电型半导体层的一部分区域上的台面；透明电极，配置于台面上；接触电极，配置第一导电型半导体层上；第一绝缘反射层，覆盖发光构造体、透明电极及接触电极的至少一部分；第一焊垫电极，配置于透明电极的上部区域及位于第一绝缘反射层上，并电连接到接触电极；第二焊垫电极，配置于透明电极的上部区域及电连接到接触电极；以及第二绝缘反射层，配置到基板的下部，其中第一及第二绝缘反射层的至少一者具有至少两个区域具有不同反射率的特性。本发明可利用第一绝缘反射层反射朝向焊垫电极侧行进的光，从而可减少因金属层产生的光损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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