[发明专利]氧化亚铜纳米线光阴极及其制备方法、光电化学器件有效

专利信息
申请号: 202011457948.1 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN112708903B 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 马明;张闪闪;王妍;李蒋 申请(专利权)人: 深圳先进技术研究院
主分类号: C25B11/053 分类号: C25B11/053;C25B11/054;C25B11/091;C25B1/04;C25B1/55
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;黄进
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种氧化亚铜纳米线光阴极,所述氧化亚铜纳米线光阴极包括形成于金属铜基片上的氧化亚铜纳米线,所述氧化亚铜纳米线的表面负载有保护层,所述保护层包含有钴和镧金属元素。所述氧化亚铜纳米线光阴极的制备方法包括:提供金属铜基片并在金属铜基片上生长氢氧化铜纳米线;将所述氢氧化铜纳米线浸泡于包含有钴和镧金属元素的有机前驱体溶液中,并干燥处理;将干燥后的氢氧化铜纳米线在惰性氛围中高温煅烧,获得氧化亚铜纳米线光阴极。本发明中的氧化亚铜纳米线光阴极,钴镧双金属元素包括不仅可以提升氧化亚铜纳米线光阴极的循环稳定性,还可显著地提高其光电催化性能,并且其制备工艺简单、成本低廉,在光电催化领域具有广阔应用前景。
搜索关键词: 氧化亚铜 纳米 阴极 及其 制备 方法 光电 化学 器件
【主权项】:
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