[发明专利]垂直互连结构及其制造方法、封装芯片及芯片封装方法在审
| 申请号： | 202011455250.6 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114334876A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 魏潇赟;杨勇;邓抄军 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 李芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例公开了一种垂直互连结构及其制造方法、封装芯片及芯片封装方法，属于芯片封装技术领域。该方法包括先在基板的第一表面形成导电柱，再在所述第一表面形成第一绝缘支撑层，所述导电柱位于所述第一绝缘支撑层内，所述导电柱远离所述基板的上表面不被所述第一绝缘支撑层覆盖；最后再去除所述基板，所述第一绝缘支撑层由非晶硅、多晶硅、碳化硅、氮化硅、氮化硼、二氧化硅、氮化铝、金刚石中的至少一种材料形成。通过先在基板上形成导电柱，然后再形成包裹住导电柱的第一绝缘支撑层，从而不需要通过刻蚀或激光烧蚀等工艺在第一绝缘支撑层上制作容纳导电柱的通孔，避免了刻蚀和激光烧蚀等工艺产生的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 互连 结构 及其 制造 方法 封装 芯片 | ||
【主权项】：
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