[发明专利]具有动态熔丝阵列的存储器装置在审

专利信息
申请号: 202011447193.7 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112992244A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 陆洋;武新宇 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C17/16 分类号: G11C17/16;G11C17/18
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请案针对于具有动态熔丝阵列的存储器装置。本文中描述用于存储与熔丝阵列集相关联的锁存器阵列集的地址的技术和设备。熔丝阵列集可包含用于指示参数的值的第一部分和用于指示将接收存储于所述第一部分中的所述参数的锁存器阵列集的地址。经启用熔丝集可指示块正在存储用于操作所述存储器装置的参数的值。通过将所述锁存器阵列集的所述地址存储于所述熔丝阵列集中,存储器装置可在所述锁存器阵列和所述熔丝阵列之间具有动态映射。这类动态映射可减小供所述熔丝阵列使用的区域并且可使一些参数为可修改的。
搜索关键词: 具有 动态 阵列 存储器 装置
【主权项】:
暂无信息
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