[发明专利]超结器件及制作方法在审
| 申请号： | 202011443290.9 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN114613833A | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 徐大朋;薛忠营;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超结器件及制作方法，包括：1)提供第一衬底并形成氧化层；2)将第一衬底与第二衬底键合，减薄第二衬底；3)基于光掩模，通过光刻‑刻蚀工艺在第二衬底刻蚀出贯通至氧化层呈倒梯形的沟槽；4)将第二衬底与第三衬底键合；5)去除第一衬底，并通过腐蚀去除氧化层，以显露沟槽的底部；6)对沟槽的底部进行刻蚀，以增大沟槽的底部宽度，使沟槽的形貌概呈矩形。本发明通过自宽度较小的沟槽底部进行刻蚀，以增大该沟槽底部的尺寸，从而使得该沟槽呈矩形，从而缩小超结结构中的P型柱和N型柱的电荷差距，使超结器件达到电荷平衡，从而提高超结器件的耐压性能及降低超结器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海功成半导体科技有限公司，未经上海功成半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011443290.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
