[发明专利]铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202011415347.4 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112538610A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 周赤;吉贵军;刘昆;张大鹏;王兴龙 | 申请（专利权）人： | 珠海光库科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C30B33/00;G02F1/035 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 薛飞飞;黄国豪 |
| 地址： | 519000 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铌酸锂单晶薄膜芯片及其制作方法。制作方法包括在支撑晶圆上依次制备介质层和铌酸锂薄层；对介质层与铌酸锂薄层之间的键合界面进行缺陷检测；分析并记录二维尺寸大于预先设定值的缺陷的位置；在缺陷的周围设置隔离槽，隔离槽在周向上包围缺陷，隔离槽的深度大于或等于铌酸锂薄层的厚度。通过该制作方法制作的铌酸锂单晶薄膜芯片不仅能够有效地防止缺陷的扩大和扩散，而且能够有效地释放大片铌酸锂薄层在晶圆上的应力积累。 | ||
| 搜索关键词： | 铌酸锂单晶 薄膜 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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