[发明专利]一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法有效
| 申请号： | 202011414328.X | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112680212B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 杨得鑫;程垚;周继宁;饶敏;霍德璇 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/66;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L33/50;B05D1/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低铅、高荧光效率的卤族钙钛矿薄膜的合成方法，本发明使用溶液旋涂法制备卤族钙钛矿薄膜，使用CsBr、PbBr |
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| 搜索关键词： | 一种 荧光 效率 卤族 钙钛矿 薄膜 合成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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