[发明专利]存储器阵列及用于形成包括存储器胞元串的存储器阵列的方法

摘要

本发明公开存储器阵列及用于形成包括存储器胞元的串的存储器阵列的方法。所述方法包括形成包括垂直交替的第一层面及第二层面的堆叠。所述堆叠包括横向间隔的存储器块区域，在所述存储器块区域之间具有水平伸长的沟槽。在所述沟槽中形成牺牲材料。在所述牺牲材料中形成垂直凹部。所述垂直凹部跨所述沟槽横向延伸在所述存储器块区域的横向紧邻者之间且沿着所述横向紧邻者纵向间隔。在所述垂直凹部中形成桥接材料以加衬里于且不足量填充所述垂直凹部且从所述垂直凹部形成具有向上敞开的杯型形状的桥接件。所述沟槽中的所述牺牲材料用在所述桥接件正下方的中介材料替换。本发明公开额外方法及独立于方法的结构。